入射部グループ
　電子陽電子入射器では、４リングへの同時入射を行っており、SuperKEKBの電子リング(HER)への入射電子を光陰極RF電子銃で、 陽電子リング(LER)の陽電子生成用の電子ビーム及びPF リング、PF-AR 用電子ビームを熱電子銃で生成しています。 これらの光陰極RF電子銃及び熱電子銃の開発・運用を担当しているのが入射部グループです。

　SuperKEKBの電子リング(HER)の入射には、光陰極型 RF 電子銃を使用して電荷量4 nC、バンチ長 20 ps の低エミッタンス 2 バンチ電子ビー ムを生成しています。バンチ間隔はリングとの同期を考慮した周波数 10.38 MHz で決まる 96.3 ns です。 光陰極にはKEKで開発した量子効率が通常の金属より高く、また超長寿命のイリジウム・セリウム合金Ir7Ce2 を採用しています RF電子銃単体では、6 nC のビームの生成が可能であり、入射器出口で電荷量 4 nC のビームも伝送可能です 光電子を生成するための紫外線レーザーは Ybファイバーと、Nd:YAG またはYb:YAG の固体レーザーのハイブリッドレーザーを開発し運用しています このレーザーは赤外線レーザーですが、非線形結晶による波長変換で赤外線から緑、さらに紫外線を生成しています。

　SuperKEKB の陽電子リング(LER)の入射のための、陽電子生成用には、1 次電子ビームとして、 熱電子銃でグリッドパルサーを使用して電荷量 10 nC、96.3 ns 間隔の 2 バンチビームを生成しています。 これをA、B セクターで 1.5 GeV まで加速後、J-ARC を通過した 1 次電子ビームは C、第 1 セクターで 3.2 GeV まで加速され、 1 セクター中央部で陽電子に変換されます。

　またPF リング、PF-AR 用電子ビームは、熱電子銃によっ生成され、電荷量 0.6 nC、バンチ長 2 ns のシングルバンチビームです。 114.24 MHz および 571.2Mz のサブハーモニックバンチャー 2 台、S バンドのプリバンチャーおよびバンチャーによって 10 ps へ圧縮された後、 1.5 GeVまで加速されて J-ARC を通り、PF リング用電子ビームは第 2 セクターまで加速された後、第 3 セクター 以降では減速されて 2.5 GeV に調整されます。