TUP048 　粒子源　 8月9日 コンベンションホール 13:10 - 15:10
背面照射における透過光型スピン偏極電子源のパルス応答性測定（�供�
Measurement of pulse response with transmission-type spin-polarized photocathodes by backside-radiation (��)
 
○山口 健太（名大院工），山本 尚人，金 秀光（KEK），真野 篤志，保坂 将人，持箸 晃，高嶋 圭史（名大SRセンター），加藤 政博（UVSOR）
○Kenta Yamaguchi (Graduate School of Engineering, Nagoya University), Naoto Yamamoto, Xiuguang Jin (High Energy Accelerator Research Organization KEK), Atsushi Mano, Masahito Hosaka, Akira Mochihashi, Yoshifumi Takashima (Synchrotron Radiation Research Center, Nagoya University), Masahiro Katoh (UVSOR, Institute for Molecular Science)
 
NEA-GaAs電子源は��-�溝家焼蛎里鰺�用した光励起偏極機構と負の電子親和性表面による電子放出機構を備えたフォトカソードである。我々は近年、透過光型のNEA-GaAs電子源を開発し、電子源背面からの励起光照射による電子ビーム取り出しを可能とした。励起光の背面照射はレーザーポインティングの不安定性によるエミッタンス劣化抑制、電子ビームと励起光用光学系の干渉抑制など様々な利点を有し、低エミッタンス電子ビームの生成を可能にしている。本電子源は現在、92%のスピン偏極度と1.6%の量子効率を実現し、高輝度な電子ビーム生成が可能となっている。 NEA-GaAs電子源は上記の特徴を利用し、SPLEEMをはじめとする表面電子顕微鏡や次世代の素粒子実験施設での応用が期待されている。これらの応用に向け、電子源開発の次なる段階として透過光型電子源のパルス応答性を評価し、ピコ秒スケールのバンチ長を有する電子ビームの実現可能性を確かめる必要がある。そこで我々は透過光型電子源に特化したパルス応答性測定システムの開発を行い、応答性劣化の原因と考えられる電子ビームテール構造の定量化を目指している。 本研究では現在、背面照射型20kV電子銃とRF偏向空洞を用いた測定システムの開発と並行して、様々な条件（量子効率、電子源の膜厚など）における電子ビームのパルス応答性を測定している。本発表では構築した測定装置の概要を述べ、その計測結果について報告する。